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MUR2100E中文资料

MUR2100E图片

MUR2100E外观图

  • 大小:292.13KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:VOLTAGE RANGE: 8 00 - 1000V 2.0 MUR2100E MUR208E MUR208E - MUR2100E Low forward Low reverse current High reliability High surge current capability High current capability voltage drop SYMBOL UNIT Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 800 1000 Volts Maximum RMS Voltage VRMS 560 700 Volts Maximum DC Blocking Voltage VDC 800 1000 Volts Maximum Average Forward Current 0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 55 °C Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single half sine wave superimposed on rated load (JEDEC Method) Maximum Peak Forward Voltage at IF = 1.0 A. VF Volts Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 ) Trr 35 ns Typical Junction Capacitance ( Note 2 ) CJ 50 pf Junction Temperature Range TJ - 65 to + 150 °C Storage Temperature Range TSTG - 65 to + 150 °C Amps. Amp. IR IFSM IF(AV) 30 μA 10 RATING 2.2 Super fast recovery time Features A A B C D DO-15 Dim Min Max A
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:SWITCHMODE™
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):1000V(1kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io):2A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):2.2V @ 2A
  • 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):100ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:10µA @ 1000V
  • 电容@ Vr, F:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装:轴向
  • 包装:散装

MUR2100E供应商

更新时间:2023-01-02 06:44:37
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